> 新闻中心 > 最新消息
创惟科技将于IDF2010展示USB 3.0储存与HUB产品应用 发布日期:2010/09/09
[ 台北讯 ]

    致力于混合讯号设计开发的高速I/O IC设计领导厂商—创惟科技,将于9月13-15日参加在美国旧金山所举行的英特尔秋季开发者论坛(IDF2010),并于USB Community技术专区中展示外接式硬碟传输的SATA桥接控制晶片(产品代码GL3310)、高速多媒体记忆卡读卡机控制晶片(产品代码GL3220)以及4个接续端口的Hub控制晶片(产品代码GL3520)。而紧接着IDF2010,创惟科技将于9月16日参加由电子时报于台北六福皇宫所主办的「DTF 2010新世代储存技术发展与应用设计论坛」,同时发表USB 3.0储存产品应用。


    
    GL3310 USB 3.0 to SATA 3Gb/s桥接控制晶片包含创惟科技所自行开发的USB 3.0 PHY、USB 2.0 PHY以及SATA PHY,且已获得USB-IF认证(TID: 340000005) 。 GL3310承袭创惟科技前一代USB 2.0 to SATA 产品的高性价比优势,与现有USB 2.0装置相比更可提供七倍以上效能,并且兼顾了与各种USB 主机及SATA 装置的高度相容性。同时为因应大容量、高转速外接式硬碟的功耗需求,GL3310采用特殊低功耗设计,以减轻系统为达到高速传输的功耗负担。此外,GL3310也为客户提供众多弹性介面,以满足产品设计上的不同需求。 GL3310已进入量产,并提供64-pin LQFP以及48-pin QFN两种不同封装供客户选择。



    创惟科技近期所推出的GL3220 USB 3.0高速多媒体记忆卡读卡机控制晶片,同样也已获得USB-IF认证(TID: 340000020)。透过USB SuperSpeed​​ 5G的高速传输,GL3220支援目前市面上所有高速记忆卡规格,包含CF v5.0 UDMA6 (速度最高达到133MB/sec)、SD v.3.0 (速度最高达到104MB/sec) 及MS PRO- HG (速度最高达到60MB/sec),同时也支援新一代大容量SDXC及MSXC记忆卡(容量最高皆达到2TB);随着新一代手机上多使用microSD当作储存媒介,GL3220在支援记忆卡的架构上,除了传统的CF/SD/MS/xD-picture 外,也额外加上日趋普及的microSD界面,让客户在终端产品上能够同时提供五个独立的记忆卡插槽,以方便一般消费者的使用。在系统面的精进上,GL3220采用0.13微米制程,在电源供应上内建5V转3.3V及3.3V转1.2V的电源调节器,此外也内建供应五组记忆卡的电源控制开关,进而提供客户最具成本效益的USB 3.0读卡机装置。目前GL3220提供128-pin LQFP封装,并在硬体上保留多组GPIO以符合客制化的需求。



    而GL3520 USB 3.0 Hub控制晶片亦整合由创惟科技自行开发的USB 3.0 PHY,以及USB 2.0 Hub市场中市占率最高的GL850G/GL852G集线器核心技术。此产品除了提供USB 3.0的高效能外,也具备与USB 2.0/USB 1.1装置与主机端的高度相容性。此外,除了承续创惟科技最佳的成本结构以及更低功耗设计上的先进技术,GL3520也支援USB-IF协会新制定的USB Battery Charging Rev 1.1的快速充电功能,可大幅缩短手持装置的充电时间, 为消费者带来更多的便利性。 

   


Copyright ◎2018 創惟科技股份有限公司 All Rights Reserved.